Sahə effektli tranzistorda gərginlik stabilizatoru. Aşağı minimum gərginlik düşməsi ilə gərginlik stabilizatoru

Bu dövrə təchizatı gərginliyindən demək olar ki, müstəqil olaraq bir və ya bir neçə LED vasitəsilə cərəyanı sabitləşdirir. Onun əsas üstünlüyü 100 mV-dən az ola bilən çox aşağı gərginlik düşməsidir. Dizayn LED zolaqlarında tətbiq tapa bilər, burada gərginlik müqavimətli düşmə səbəbindən uzunluq boyunca dəyişə bilər və gərginliyin kiçik dəyişiklikləri cərəyan və parlaqlıqda əhəmiyyətli dəyişikliklərə səbəb olur. Həm də hər voltun sayıldığı yerdə.

LED cərəyan stabilizatoru dövrəsi

Rezistor R dövrəsində gərginliyin düşməsi 40 mV-dən çox deyil. Qalanı Q3-ün parametrlərindən asılıdır.

Burada nominal LED cərəyanı 9 V-də 7,2 mA-dır. Gərginliyin 20 V-a artırılması dinamik müqavimətə görə yalnız +15% cərəyan dəyişikliyinə səbəb olur.

Rezistor R1 dəyəri 2,9 - 3,4 volt diapazonunda bir gərginlik düşməsi olan mavi / ağ LED üçün seçilir. İstədiyiniz səviyyəni fərqli bir gərginlik düşməsində saxlamaq üçün R1 dəyərini gərginlik düşməsinin dəyişməsinə mütənasib olaraq dəyişdirin.

LED-lərdən keçən cərəyan R dəyəri ilə tərs mütənasibdir. Bu rezistordan istifadə etməklə cərəyanı təqribən dəyişdirmək və R1-i dəyişdirməklə dəqiq tənzimləmək olar.

Yaxşı istilik sabitliyi əldə etmək üçün Q1 və Q2 termal təmasda olmalıdır. İdeal olaraq, onlar eyni çipdə olmalıdırlar, lakin bir-birinə basdıqda yaxşı nəticələr əldə edilir.

Dövrə yalnız bir LED ilə yaxşı işləyir. Bir xəttdəki LED-lərin maksimum sayı yalnız dövrə komponentlərinin parametrlərindən asılıdır.

Güc stabilizatorlarının ən vacib xüsusiyyətlərindən biri ən yüksək yük cərəyanında stabilizatorun çıxışı və girişi arasında icazə verilən ən aşağı gərginlikdir. Cihaz parametrlərinin normal vəziyyətdə olan ən kiçik gərginlik fərqində məlumat verir.

Xətti tənzimləmənin səmərəliliyini artırmağın bir yolu, tənzimləyici elementin gərginlik düşməsini mümkün olan ən aşağı qiymətə endirməkdir. Bu, miniatür tənzimləyicilər üçün xüsusilə vacibdir, burada hər 50 millivolt düşmə cihazın kiçik paketində kompleks dağılma ilə bir neçə yüz millivat istiliyə çevrilir.

Buna görə də, bu cür sxemləri birləşdirmək üçün bir çox şirkət dizaynerlərə 100 millivolta qədər aşağı düşmə ilə mikrosxemlər təklif edir. ST 1L 08 mikrosxem 0,8 A-a qədər cərəyan yükü ilə yaxşı parametrlərə malikdir, tranzistorda ən kiçik düşmə təxminən 70 millivoltdur.

Zavod stabilizatorlarından, yük cərəyanı ən aşağı dəyərə endirildikdə, düşmə 0,4 millivolta qədər azaldılanları qeyd edə bilərik. Səs-küyü azaltmaq üçün bu cür mikrosxemlər 0,01 μF-ə qədər tutumlu xarici filtri birləşdirmək üçün terminalı olan köməkçi tampon gücləndiricisi ilə təchiz edilmişdir. Belə bir filtrə minimum tələblər qoyulur: tutum dəyəri 2,2 ilə 22 μF arasında olmalıdır.

LD CL 015 mikrosxeminə xüsusi diqqət yetirilməlidir, yaxşı xüsusiyyətlərə və aşağı gərginliyə malik olan bu, kondansatör filtri olmadan işləyən stabilizatorlardan biridir. Bu, bir faza marjası olan bir op-amp dövrəsi ilə əldə edilir. Bununla birlikdə, parametrləri yaxşılaşdırmaq və çıxışda səs-küyü azaltmaq üçün cihazın çıxışında və girişində təxminən 0,1 μF tutumların quraşdırılması məsləhət görülür.

0,05 volta düşməsi olan cihaz

Müxtəlif avadanlıqları batareyalardan birləşdirərkən, çox vaxt gərginlik və cərəyan istehlakını bərabərləşdirməyə ehtiyac var. Məsələn, lazer video pleyer və ya LED fənəri yaratmaq üçün. Bu problemi həll etmək üçün artıq istehsalda sürücülər şəklində bir neçə mikrosxem hazırlanmışdır. Onlar daxili stabilizatoru olan aşağı gərginlikli gərginlik çeviricisidir. Yeni inkişaf LT 130 8A mikrosxemdir.

Bu cür sürücülərin üstünlüklərini azaltmadan, böyük bir regional şəhərdə belə mikrosxemlərin olmadığını qeyd etmək lazımdır. Yüksək qiymətə, təxminən 10 avroya sifariş vermək olar. Buna görə də, bir radio jurnalından ucuz, sadə və təsirli bir cihaz sxemi var.

Belə bir cihazın sabitləşmə əmsalı 10.000-dir, çıxış gərginliyi 2 ilə 8 volt arasında 2,4 kilometrlik bir müqavimətlə tənzimlənir. Giriş gücü çıxışdan aşağı olduqda, tuning tranzistoru açıqdır və gücün azalması bir neçə mV-ə bərabərdir. Giriş gərginliyi çıxış gərginliyindən yüksəkdirsə, zener diodunda 0,05 volta bərabərdir. Bu, AA batareyaları ilə mümkün olur. Hətta yük cərəyanını 0 ilə 0,5 amper aralığında dəyişdirməklə belə, çıxış gərginliyi yalnız 1 mV dəyişəcək.

Belə sadə bir stabilizator üçün lövhənin həkk edilməsi lazım deyil, ancaq xüsusi bir bıçaqla kəsilə bilər. Sınıq dəmir bıçaqlardan hazırlanır və daşlama çarxında itilənir. Daha sonra istifadə rahatlığı üçün sap sarılır.

Bu kəsici ilə mis lövhədə izləri cızmaq olar.

Lövhəni zımpara ilə təmizləyirik, qalaylayırıq, hissələri lehimləyirik və hər şey hazırdır.

Fotoşəkillər göstərir ki, lövhəni aşındırmağa və ya qazmağa ehtiyac yoxdur.

Bu üsul həmişə kiçik, sadə sxemlər istehsal etmək üçün istifadə olunur. Güclü bir tranzistoru soyutma radiatoru ilə təchiz etməyə ehtiyac yoxdur. Kiçik bir gərginlik düşməsi səbəbindən qızdırılmır. Quraşdırarkən, çıxışa zəif bir yük bağladığınızdan əmin olun.

Aşağı düşmə gücü ekvalayzeri

Ən vacib xüsusiyyət, mikrosxemlərdə olduğu kimi, ən yüksək cərəyan yükündə çıxış və giriş potensialında ən az icazə verilən fərq olan aşağı güc düşməsi olan stabilizatordur. Çıxış və giriş arasındakı minimum gərginlik fərqində cihazın bütün xüsusiyyətlərinin normal olduğunu müəyyən edir.

• M78 seriyalı mikrosxemlərdə hazırlanmış ən çox yayılmış stabilizatorlar üçün ən aşağı icazə verilən gərginlik 1 amper cərəyanı ilə 2 voltdur.
• Minimum giriş gərginliyi olan bir mikrosxemdə bir cihaz 7 volt çıxış gərginliyi çıxarmalıdır. Cihazın çıxışında impulsların amplitüdü 1 volta çatdıqda, minimum giriş gərginliyi 8 volta qədər artır.
• 10% diapazonunda şəbəkə gərginliyinin qeyri-sabitliyini nəzərə alaraq, 8,8 volta qədər artır.

Nəticədə, çıxışda əhəmiyyətli bir cərəyanla cihazın səmərəliliyi 57% -dən çox olmayacaq, mikrosxem çox isti olacaq;

Aşağı düşmə çiplərinin tətbiqi

Vəziyyətdən yaxşı çıxış yolu KR 1158 EH və ya LM 10 84 kimi montajlardan istifadə etməkdir.

Cihazın mikrosxemdə işləməsi aşağıdakı kimidir:

• Tənzimləmə üçün güclü bir sahə açarından istifadə edərək aşağı gərginlik dəyərlərinə nail olmaq olar.
• Tranzistor müsbət xəttdə işləyir.
• N-kanalı olan stabilizatorun istifadəsi sınaqlarla təklif olunur: belə yarımkeçiricilər öz-özünə həyəcanlanmağa meylli deyillər.
• Açıq dövrə müqaviməti p-kanalı ilə müqayisədə daha aşağıdır.
• Transistor paralel stabilizator tərəfindən idarə olunur.
• Sahə effektli tranzistoru açmaq üçün qapının gərginliyi mənbədən 2,5 volta qədər tənzimlənir.

Belə bir köməkçi mənbə, onun çıxış gərginliyi bu dəyərlə sahə effektli tranzistorun boşalma gərginliyindən yüksək olduqda lazımdır.

Çıxış cərəyanları bir neçə amper olan və mümkün qədər az gərginlikli 5 voltluq stabilizatorlara böyük ehtiyac var. Gərginliyin düşməsi, tənzimlənmənin təmin edilməsi şərti ilə, sadəcə olaraq, DC giriş gərginliyi ilə çıxış gərginliyi arasındakı fərqdir. Bu cür parametrlərə malik stabilizatorlara ehtiyac, təxminən 8,2 V-a bərabər olan nikel-kadmium batareyasının gərginliyinin 5 V-də sabitləşdiyi praktik bir nümunədə görünə bilər. Gərginlik düşməsi adi 2 və ya 3 V olarsa, onda aydın olur ki, belə batareyadan uzun müddət batareyadan istifadə etmək mümkün deyil. Batareyanın gərginliyini artırmaq ən yaxşı həll yolu deyil, çünki bu vəziyyətdə keçid tranzistorunda mənasız enerji itkisi olacaq. Stabilizasiyanı, məsələn, bunun yarısı qədər gərginlikdə saxlamaq mümkün olsaydı, ümumi vəziyyət daha yaxşı olardı.

Məlumdur ki, stabilizatorların inteqral sxemlərində aşağı doyma gərginliyi ilə keçid tranzistoru hazırlamaq asan deyil. Bir IC istifadə edərək keçid tranzistorunu idarə etmək arzuolunan olsa da, tranzistorun özü ayrıca bir cihaz olmalıdır. Bu, təbii olaraq tam inteqrasiya edilmiş sxemlərdən daha çox hibrid cihazların istifadəsini nəzərdə tutur. Əslində, bu, maskalanmış bir xeyirdir, çünki nəzərdə tutulan məqsədə çatmaq üçün tranzistorun doyma və beta gərginliklərini optimallaşdırmağı asanlaşdırır. Bundan əlavə, təbiətcə aşağı doyma gərginliyinə malik olan germanium tranzistorları ilə sınaqdan keçirə bilərsiniz. Nəzərə alınacaq başqa bir amil, /7l/7 tranzistorlarının prp analoqlarından daha aşağı doyma gərginliyinə malik olmasıdır.

Bu faktlardan istifadə təbii olaraq Şəkil 1-də göstərilən aşağı düşmə tənzimləyicisi dövrəsinə gətirib çıxarır. 20.2. Bu tənzimləyicidə gərginliyin düşməsi 1 A yük cərəyanında 50 mV-dir və 5 A-da yalnız 450 mV-dir. Keçid tranzistorunun yaradılması zərurəti mahiyyətcə 71123 xətti inteqrasiya edilmiş tənzimləyicinin buraxılması ilə stimullaşdırıldı. Silikon /?l/7-tranzistor MJE1123 xüsusi olaraq bu dövrə üçün nəzərdə tutulmuşdur, lakin bir neçə oxşar tranzistor mövcuddur. Aşağı doyma gərginliyi tranzistor seçimində mühüm parametrdir, lakin yüksək DC qazancı (beta) etibarlı qısaqapanma cərəyanının məhdudlaşdırılması üçün də vacibdir. Məlum oldu ki, 2iV4276 germanium tranzistoru daha da aşağı gərginlik düşməsinə imkan verir, lakin ehtimal ki, qısaqapanma cərəyanının məhdudlaşdırıcı xüsusiyyətlərinin pisləşməsi hesabına. Keçid tranzistorunun əsas dövrəsində rezistorun müqaviməti (diaqramda 20 Ohm) eksperimental olaraq seçilir. İdeya, məqbul bir gərginlik düşməsi ilə onu mümkün qədər yüksək etməkdir. Onun dəyəri gözlənilən maksimum giriş gərginliyindən asılı olacaq. Başqa bir xüsusiyyət

Bu stabilizator aşağı boş cərəyana malikdir, təxminən 600 µA, bu da batareyanın uzun müddət işləməsinə kömək edir.

düyü. 20.2. Aşağı gərginlik düşməsi olan xətti tənzimləyicinin nümunəsi. Burada hibrid dövrə istifadə olunur, çünki yalnız IC-lərdən istifadə edərək aşağı gərginliyin azalmasına nail olmaq çətindir. Xətti Texnologiya Sofoga!1op.

Başqa bir yarımkeçirici şirkətinin oxşar aşağı düşmə xətti tənzimləyicisi Şəkildə göstərilmişdir. 20.3. Əsas xüsusiyyətlər eyni olaraq qalır - 3 A yük cərəyanında 350 mV gerilim düşməsi Bir daha hibrid dövrənin istifadəsi əlavə dizayn elastikliyini təmin edir. Bu cür stabilizatorları idarə etmək üçün müxtəlif IC-lər arasındakı əsas fərq köməkçi funksiyaların olmasıdır. Onlara olan ehtiyac müəyyən bir tətbiqlə bağlı əvvəlcədən qiymətləndirilə və müvafiq seçim edilə bilər. Bu ASIC-lərin əksəriyyətinin ən azı qısa qapanma və qızdırmadan qorunması var. Keçid rpr-trshshstor IC-dən kənar olduğundan, yaxşı istilik yayılması vacibdir. Tez-tez əlavə sabitləşməni təmin etmək üçün artıq qurulmuş SMPS-ə aşağı düşmə xətti tənzimləyicisi əlavə olunur. Üstəlik, səmərəlilik bütövlükdə sistem faktiki olaraq dəyişməz qalacaq. Əlavə sabitləşmə üçün 3 terminallı adi bir intefal gərginlik stabilizatoru istifadə edildikdə bunu söyləmək olmaz.

İlk meyliniz adi 3 pinli inteqrasiya edilmiş gərginlik tənzimləyicisi və keçid tranzistorundan istifadə edərək yuxarıda təsvir edilmiş iki aşağı düşmə dövrəsini təkrarlamaq ola bilər. Bununla birlikdə, sakit cərəyan (stabilizatorun daxili dövrəsi tərəfindən istehlak edilən və yükdən keçməyən cərəyan) xüsusi dövrələrdən istifadə edərkən daha yüksək olacaqdır. Bu, sistemdə əlavə güc itkisi tətbiq etməmək fikrini məhv edir.

düyü. 20.3. Başqa bir aşağı düşmə xətti tənzimləyici dövrə. Eyni konfiqurasiya xarici PPR tranzistoru ilə istifadə olunur. Seçilmiş idarəetmə IC tələb olunan dəstək funksiyaları baxımından ən yaxşısıdır. Albalı Yarımkeçirici Soph.

çoxlu rəy və suallar doğurdu. Orijinal məqaləyə şərhlərdə bəzi suallara cavab verməyə çalışdım. Burada mən bu stabilizatorun mövzusunda bir neçə sadə varyasyon verəcəyəm, yeri gəlmişkən, indiyə qədər iki 120 vatt enerji təchizatı, müzakirə olunan sxemə uyğun olaraq yığılmış stabilizatorlarla iki "barel" qurmağı bacardım.

İşləyən prototip

Əl işlərimi təşkil etmək həmişə çətin olub. Mənə elə gəlir ki, bu dəfə Ikea-dan mətbəx qabları üçün stendlər və 6 mm MDF lövhəsindən kəsilmiş yuvarlaq ağacdan istifadə edərək uğurla çıxdım.

Bütün təlaş nə ilə bağlıdır?

İnsanlar tez-tez məni dəli adlandırırlar :) Və bu doğrudur: bu gün demək olar ki, hər hansı bir parametr üçün hazır keçid enerji təchizatı seçə bilərsiniz. Çox güman ki, aşağı tezlikli bir transformatordan çox olmayacaq və bundan əlavə, adətən daha yüngül və daha yığcam olur. Mən translar üçün çoxlu pul ödədim və bir neçə axşam bu çəlləkləri yığmağa sərf etdim. Baxmayaraq ki, məndə artıq bütün lazımi mənbələr var idi. Nəticə: 7 impuls qutusu zirzəmidəki anbara göndərilib.

Mən sizə dəliliyimin sirrini deyəcəyəm: bu mənim evimdəki elektromaqnit sahələrinin sıxlığını azaltmaq cəhdimdir. Məsələn, zirzəmimizdən zibil çıxaran insanlara bir neçə il əvvəl mikrodalğalı soba hədiyyə edilmişdi. Düzdür, vicdanım hələ də mənə bir az əzab verir: axır ki, onlar indi şüalanır və dəyişdirilmiş yemək yeyirlər. Oradakı trans 1 kilovatda möhtəşəm idi. 🙂

Ümumiyyətlə, elektromaqnit müdaxiləsi mövzusu dissertasiyaya layiqdir. Yəqin ki, bir neçə dəfə blogda ona qayıdacağam...

Şəkillərə daha yüksək rezolyusiyada baxmaq üçün üzərinə klikləyə bilərsiniz.

"Hörümçək toru" ilə lehimlənmişdir (MGTF + Kynar)

Mövzu üzrə Varyasyonlar

Aşağıdakı bütün eskizlərdə elementlərin nömrələnməsi .

İki ikincil sarım + yumşaq başlanğıc

Mən əvvəlki məqalədə qısaca olaraq belə bir dəyişiklik təklif etmişdim. Yalnız bir rezistor R9 əlavə etməklə hamar bir başlanğıc təmin edilə bilər.

Effektiv birincil mənbə - iki ikincil sarım

Təxmini komponentlər dəsti:

• VD1, VD2 = Schottky diodları 8A 40V
• VD5-8 = 0,5A 200V kiçik körpü
• C1 = 15000 µF 25 V
• C2, C3 = 47 µF 25 V
• C4 = 1000 µF 35 V
• R9 = 1 kOhm
• C6 = 0,1 µF keramika

C4-ün artan tutumuna diqqət yetirin. R9 ilə birlikdə cihaz işə salındıqda "V++" gərginliyinin hamar artımını təmin edir. Tənzimləyicinin çıxışındakı gərginlik MIS tranzistorunun eşik gərginliyini çıxarmaqla V++-dan çox ola bilmədiyi üçün bu modifikasiya həm də başlanğıcda çıxış gərginliyinin hamar artımını təmin edir.

Tək ikincili sarım + yumşaq başlanğıc

Bu variasiyanın diaqramında diod körpüləri gözlərinizi qamaşdırır :) Sizə xatırlatmağa tələsirəm ki, çarpan özü dəyişməz qalır: eyni kiçik körpü və 3 kondansatör.

Sistemdə artıq müsbət gərginliyin başqa bir mənbəyi olduğu halda (bu tənzimləyicinin çıxışında əldə edilməli olandan bir neçə volt yüksək), onu “V++” kimi istifadə etmək məqsədəuyğun olardı. "V++" mənbəyindən tənzimləyici yalnız bir neçə milliamper çəkir ki, bu da başqa bir mənbə üçün çox ağır olmamalıdır. Bu şəkildə çarpandan asanlıqla xilas ola bilərsiniz.

Cari məhdudlaşdırıcı olmadan edək

Cari məhdudlaşdırıcı olmadan, dövrə cüzi keçid tranzistorunun gərginlik düşməsi ilə işləyə bilər və hələ də böyük yük cərəyanları təmin edə bilər, bu, bu gün tanıdığım hər hansı bir kommersiya LDO tənzimləyicisi ilə mümkün deyil.

Denominasiyaların nümunə siyahısı üçün aşağıya baxın.

Zəhmət olmasa qoruyuculara qənaət etməyin. Siqaret çəkən transformatoru söndürməkdənsə, ucuz bir şüşə borunu tel ilə əvəz etmək daha yaxşıdır.
Transformatorun ikincil sarımından dərhal sonra "yavaş" qoruyucu ("T" hərfi ilə - vaxt) quraşdırmağı məsləhət görürəm. Sigorta nominal yük cərəyanından təxminən iki dəfə qiymətləndirilməlidir. Xüsusilə transformatorda cihazın müxtəlif komponentlərinin qidalandığı bir neçə ikincil sarım olduqda, elektrik kabelindəki qoruyucuya etibar etməməyi şiddətlə məsləhət görürəm. Bu vəziyyətdə, "dumanlı" ssenari belə ola bilər: bir ikincil həddindən artıq yüklənir və artıq siqaret çəkir, ümumi istehlak isə normal həddə qalır, məsələn, cihazın qalan qovşaqlarının bağlanması səbəbindən.

Tam tənzimləyici dövrə

Sadəcə oxumağı asanlaşdırmaq üçün yenidən çəkilib, ümid edirəm.

Mənim prototipimdən nominalların nümunəsi:

• R1, R6 = 2,2 kOhm
• R2, R3 = 470 Ohm
• R4 = 0,22 Ohm 3W
• R5 = 12 kOhm
• R7 = 2,2 kOhm çox növbəli
• C5 = 10 nF keramika
• VT1 = IRFZ40
• VT2 = 2N2222
• VD9 = 1N5244B (zener diodu 14V)

Test edək!

Səs gücləndiricilərini düzəldəndə mənə dəfələrlə kömək edən gözəl cihazın şəkli. Bu dəfə onun köməyi ilə stabilləşdirilmiş çıxışla 12.6V 2A üçün nəzərdə tutulmuş "barellərimi" sınaqdan keçirdim. Cari məhdudlaşdırıcı təxminən 2,5A-a təyin edilmişdir.

İdeyanın daha da inkişafı

1. Yumşaq başlanğıc ilə birləşdirilmiş xarici keçid nəzarəti;
2. Termo idarə olunan fan;
3. Termal qoruyucu;
4. DIY dəsti;
5. Proqramlaşdırıla bilən mənbə...

Odur ki, tez-tez yoxlayın və ya daha yaxşısı, xəbər bülleteninə abunə olun 😉

Bu giriş , tərəfindən dərc edilib . əlfəcin edin.

65 nanometr, 300-350 milyon avroya başa gələcək Zelenoqrad zavodu Angstrem-T-nin növbəti hədəfidir. Şirkət artıq Vneşekonombanka (VEB) istehsal texnologiyalarının modernləşdirilməsi üçün güzəştli kredit üçün ərizə təqdim edib, bu həftə "Vedomosti" zavodun direktorlar şurasının sədri Leonid Reymana istinadən xəbər verir. İndi Angstrem-T 90nm topologiyaya malik mikrosxemlər üçün istehsal xəttini işə salmağa hazırlaşır. Alındığı əvvəlki VEB krediti üzrə ödənişlər 2017-ci ilin ortalarında başlayacaq.

Pekin Uoll-striti çökdürür

Amerikanın əsas indeksləri Yeni ilin ilk günlərini rekord azalma ilə qeyd etdi.

Qiyməti 60 dollar olan ilk rus istehlakçı prosessoru Baikal-T1 kütləvi istehsala buraxılır.

“Baikal Electronics” şirkəti 2016-cı ilin əvvəlində qiyməti təxminən 60 dollar olan Rusiyanın “Baikal-T1” prosessorunu sənaye istehsalına buraxmağı vəd edir. Bazar iştirakçıları deyirlər ki, hökumət bu tələbi yaratsa, cihazlar tələbat olacaq.

MTS və Ericsson Rusiyada 5G-ni birgə inkişaf etdirəcək və tətbiq edəcək

Mobile TeleSystems PJSC və Ericsson Rusiyada 5G texnologiyasının inkişafı və tətbiqi sahəsində əməkdaşlıq müqavilələri bağlayıb. Pilot layihələrdə, o cümlədən 2018-ci il Dünya Kuboku zamanı, MTS İsveç satıcısının inkişaflarını sınaqdan keçirmək niyyətindədir. Gələn ilin əvvəlində operator beşinci nəsil mobil rabitə üçün texniki tələblərin formalaşdırılması ilə bağlı Telekommunikasiya və Kütləvi Rabitə Nazirliyi ilə dialoqa başlayacaq.

Sergey Çemezov: Rostec artıq dünyanın on ən böyük mühəndislik korporasiyasından biridir

Rostec-in rəhbəri Sergey Çemezov RBC-yə müsahibəsində aktual sualları cavablandırdı: Platon sistemi, AVTOVAZ-ın problemləri və perspektivləri, Dövlət Korporasiyasının əczaçılıq biznesindəki maraqları, sanksiyalar kontekstində beynəlxalq əməkdaşlıq haqqında danışdı. təzyiq, idxalı əvəzləmə, yenidən təşkil, inkişaf strategiyası və çətin zamanlarda yeni imkanlar.

Rostec "özünü qılıncoynadır" və Samsung və General Electric-in uğurlarına qəsd edir

Rostec-in Müşahidə Şurası “2025-ci ilə qədər İnkişaf Strategiyası”nı təsdiqləyib. Əsas məqsədlər yüksək texnologiyalı mülki məhsulların payını artırmaq və əsas maliyyə göstəricilərində General Electric və Samsung şirkətlərini tutmaqdır.